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SiTime提供了MEMS 32.768kHz振蕩器和TCXO的完整產品組合。 32.768KHz有源晶振超小尺寸,μPower功耗和高精度的獨特組合,使這些器件非常適合對空間敏感的電池驅動產品進行計時。 32.768KHz有源晶振具有可編程的驅動強度,可以驅動多個負載,例如BLE睡眠時鐘,RTC,音頻和其他連接性SOC。

低功耗32.768KHz有源晶振

SiTime推出的基于MEMS的32.768KHz有源晶振,具有小尺寸和低功耗,非常適合在空間和功耗至關重要的可穿戴和移動應用中替代傳統的石英晶體(諧振器)。
 .小尺寸封裝:1.5x0.8毫米,CSP封裝(SiT1532) 
 .兼容標準SMD封裝(2.0x1.2毫米),可直接替代石英晶振
 .低工作電流:<1 μA
 .NanoDrive?技術,支持工廠輸出幅度編程,契合低功耗應用
 .1.2V電壓穩定工作,支持紐扣電池和超級電容等供電設備
 .輸出驅動能力強,無需額外負載電容
 .驅動多個負載,節省額外元件數量
 .內置濾波電路,省略外部Vdd旁路電容
 .無補償式振蕩器,擁有最佳頻率穩定度:初始頻率穩定度10-20PPM,全溫度范圍內頻率穩定度75-100PPM 
Device Datasheet Frequency Stability(PPM) Output Type Supply Voltage(V) Temp. Range(°C) Package Size(mm2)
SiT1533 32.768 kHz 20 (room)
75 to 100(over temp.)
LVCMOS 1.2 ~ 3.63 -10 ~ +70
-40 ~ +85
2.0 x 1.2 SMD
SiT1532 32.768 kHz 10 (room)
75 to 100(over temp.)
LVCMOS 1.2 ~ 3.63 -10 ~+70
-40 ~ +85
1.5 x 0.8 CSP
SiT1630 32.768 kHz 20 (room)
75 to 150 (over temp.)
LVCMOS 1.5 ~ 3.63 -10 ~ +70
-40 ~ +85
-40 ~ +105
2.0 x 1.2 SMD

高精度32.768KHz有源晶振

SiTime基于MEMS的32.768kHz溫補晶振,具有小尺寸和低功耗,是可穿戴及移動電子應用領域替代石英晶振的較好的選擇。與32.768kHz石英晶振相比,SiTime 32.768kHz溫補晶振物料清單更短,電路板占位面積更小,經二次注塑/底部充填后,在溫度變化劇烈的環境中頻率依然能夠保持穩定。
  .小尺寸封裝:1.2mm2(1.5x0.8毫米)CSP封裝
  .低工作電流:1-4.5μA
  .超低相位抖動,可用來驅動音頻信息(超級溫補振蕩器系列)
  .在環境溫度變化劇烈(升/降溫速率大于10℃/秒)的情況下,溫補振蕩器頻率仍可保持穩定
  .輸出驅動能力強,無需額外負載電容
  .內置濾波電路,大部分應用可省略外部Vdd旁路電容
  .高頻率穩定度:
Device Datasheet Frequency Stability(PPM) Output Type Supply Voltage(V) Temp. Range(°C) Package Size(mm2)
SiT1552 32.768 kHz ±10 or ±20over temp. LVCMOS 1.5 ~ 3.63 0 ~70
-40 ~ 85
1.5 x 0.8 CSP
SiT1576 1 Hz–2.5 MHz ±5
±20
LVCMOS 1.62 ~ 3.63V -20 ~ +70
-40 ~ +85
1.5×0.8 CSP
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